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一台48纳米制程的DUV光刻机，它的深紫外光源波长是193纳米，想生产14纳米的SOC上帝芯片就需要拆分四块。
因为拆分两块的话，是28纳米间隔，拆分四块的话，电路图案的晶体管间隔就达到了56纳米，这样一来，48纳米的DUV光刻机精度就可以满足生产了。
当然了。
多重曝光技术也有极限。
林天曾经在龙芯国际展示多重曝光技术的时候说过，图案拆分四块，曝光与蚀刻四次就是极限了，超过这个数字，先不说难度极具上升，半导体硅片以及电路图案也会相应受损。
而目前需要四块光掩膜版的就只有SOC上帝芯片，林天听见语音自然能反应过来。
在通知了林天后，他又给蓝绿厂的两位联合老总，段勇平与陈永打去电话告知，再给任国非发去微信文字信息。
……
另一边。
