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“如果要用一句话概括，那就是这款光刻胶是我专门为多重曝光技术而设计的产品。”
当陈星听见这句话那刻，心中也泛起了波澜。
因为没有13。5极紫外光的EUV光刻机，各个环节都需要配合多重曝光技术去设计。
想弄更先进的光刻胶？
不好意思。
48纳米DUV光刻机不支持！
因为48纳米的DUV光刻胶照射出来的光源是193纳米，如果光刻胶不能适配这个数值，那将无法参与芯片生产。
“辛苦了。”
纵使有千言万语，陈星也只能化作这三个字。
他已经打定主意了，只要光刻工厂宣布建设完成，并投入使用那刻，就是彻底与西方摊牌，半导体领域全面反击的时刻。
