第29章 支持 (第5/7頁)
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然後葉成又向徐潛解釋了一下mos（金屬-氧化物半導體）結構的原理。
大概是說，不同的電壓，會決定電路會不會導通。
比如，nmos，高於閾值電壓，電路會導通，低於閾值電壓，電路會絕緣。
而pmos，則恰恰相反，高於閾值電壓電路會絕緣，低於閾值電壓，電路會導通。
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n指的是n型摻雜，簡單理解就是在硅晶體中摻入磷原子。
而衆所周知，硅原子的最外層電子數爲4個，硅晶體呈現以下排布方式：
：硅：硅：硅：硅：
（··）··）··）··）
：硅：硅：硅：硅：
