第438章 聯合研發項目 (第8/14頁)
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在160微米之後,整個技術就陷入了停滯。
之所以世界芯片的發展,沒有因爲光刻機技術的發展而陷入停滯,那完全是因爲採用了浸入式重複投影的方式來將光刻的精度提升到納米級。
也就是說只要國內的光刻技術發展到了浸入式光刻這一步,那麼國內在光刻技術上,那就能和國際保持在同一個水平線上!
在這之後,國際雖然也爲突破浸入式光刻精度的極限進行了無數次的嘗試,最終纔在極紫外光的方向上取得了突破。
但那已經是三十多年以後得事情了。
即便是從開始集中研發的2007年算,那也是二十多年之後的事情!
雖說在總體上,國內在光刻機的發展方面,技術的確要落後國際。
但因爲自己知道歷史。
所以一旦光刻機的研究進入到浸入式光刻的極限之後,他便可以直接讓相關方面將光刻機的突破方向定位在極紫外上之上……