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何星舟來到了光電研究所，跟嚴蕊院士的團隊一起研究。
激光研究室裏，嚴蕊正在講述他們遇到的問題：“我們現在是採用氣體噴射的方式用激光轟擊靶材料產生等離子體，等離子體發EUV輻射，EUV輻射經過由週期性多層薄膜反射鏡組成的聚焦系統入射到反射掩模上。射出的EUV光波再通過反射鏡組成的投影系統，將反射掩模上的集成電路的幾何圖形成像到硅片上的光刻膠中，從而形成集成電路所需要的光刻圖形。”
“理論上，這個過程沒有問題。”何星舟點點頭。
“但問題在於如何在提高EUV光源瓦數的同時，降低等離子氣氛中微粒、高速粒子和其它污染物。”嚴蕊頭疼道，“不然光源就會迅速惡化。還有，極紫外投影光刻系統使用了反射式掩模。”
“我們的EUV掩膜缺陷仍高達ldefect/cm2，檢測機臺的製造水平也要得到進一步提升。”
“檢測機臺的問題，我想盧教授那邊的團隊應該能解決。”何星舟說道，“至於極紫外光源的問題，我想到了一個解決方案。”
“什麼方案？”這羣院士和專家們都看着他。
何星舟說道：“光源瓦數的提升，可以用電能！”
“在高功率激光加熱負載體形成等離子體並且多次反射後，形成了極紫外光源，這個時候，再設計一個放電反應室，讓等離子體進一步轉化，輻射出亮度更高，更純淨的極紫外線，如果還有多層反射鏡，EUV的納米刻度會進一步提升，就有可能滿足3納米制程的要求！”
其實這就是解決方案，只不過何星舟說的委婉了一點。
