第140章 小芯粒＋超導基座 (第3/6頁)
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再利用光刻機的多重曝光技術，這些芯粒的製程，可以做到最小7納米的程度，並保證良品率不低。
超導基座則是使用超導材料，再把芯片的一些電路控制結構、電源管理模塊，都集成到超導基座內，使用65納米制程甚至更落後的製程都可，因爲是無電阻的超導基座，不管光刻製程多落後，功耗都不會很高，不用擔心超導基座的耗電問題。
在實際的使用過程中。
假如需要組裝出一塊雙核的性能尚可的cpU，那麼只需使用兩枚cpU芯粒，再加一個超導基座，把它們封裝到一起即可。
如果要組裝一塊四核的性能不錯的cpU，那麼使用四枚cpU芯粒，再加一個超導基座即可。
以此類推。
想要獲得多高的性能，就如同加減法般，使用多少枚的芯粒即可，再匹配相對應的超導基座。
這套技術路線的最大優點，就是大大簡化了芯片的製造過程，把技術最難的部分，以小芯粒的方式，模塊化的生產出來，可極大的降低難度，能明顯提高良品率。
缺點是穩定性稍差，故障率略有提高，性能表現也會受到一些限制，在同樣的良率下，綜合成本較傳統芯片，會有明顯提高。
但這些缺點，在搭配了超導基座，在小芯粒易規模化量產的優點面前，完全可以克服，甚至綜合表現，不比傳統芯片差。
