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在半導體只讀存儲器發展的歷史上,初期廣泛使用的是可編程只讀存儲器pro,其內部有行列式的鎔絲,可根據使用者的需要,利用電流將其燒斷,從而寫入所需資料。
鎔絲一經燒斷便不能恢復,也就意味着資料無法更改,這算是真正意義上的只讀存儲器。
接下來出現的是可擦寫可編程只讀存儲器,其利用高電壓寫入資料,並且可以通過預留的石英玻璃透明窗口,用紫外線照射一段時間,從而清空原來的資料,供重複使用。
就是當下廣泛使用的只讀存儲器,其麻煩之處在於,紫外線照射清空存儲器的過程,往往需要半個小時才能完成,效率實在不敢讓人恭維。當初基爾代爾編寫cp/的時候,就深受其苦。
按照唐煥的記憶的繼任者,電子可擦寫可編程只讀存儲器的技術已經在1978年的英特爾出現了。
的原理類似,但是擦寫的方式是使用高電場來完成的,因此要比通過透明窗使用紫外線照射方便快速多了。
新技術產品的應用必定意味着不低的成本,但唐煥認爲,如果英特爾的實用的話,列爲採購目標還是值得的。
這就是他要在第二次去寶島之前,抽空拜訪英特爾的主要原因。