第106章 佈局閃存 (第10/16頁)
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趙燁對當下的光刻機以及芯片生產工藝也算比較瞭解，此刻聽完黃昆院士的話，不由心頭大喜。
乾式光刻機到達193nm，就差不多到頭了，想要再次突破，難度極大。前世，光刻機技術在20年內，幾乎沒有什麼進步，都被困在這裏，光學光刻技術似乎已經到了分辨率的“極限”。後來直到林本堅提出“浸潤式光刻”這一具有顛覆性的技術之後，光刻機技術這纔得到突破193nm。
無疆微電子公司只要開發出193nm光刻機，就跟佳能和尼康的光刻機技術相差不大了，反正之後20年，對方怎麼也進步不了了。
反倒是無疆微電子公司研發浸潤式光刻技術，實現彎道超車！
趙燁對衆人鼓勵一番，心情愉快地離開了。
……
日本。
雷克斯·艾登做好充分的調查準備之後，便開展行動。
在正式接觸東芝公司之前，他先悄悄約nand閃存的發明者舛岡富士雄。
晚上7點鐘，舛岡富士雄準時赴約。
